ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ 70، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در ترانزیستور اثرِ میدان (FET) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (به انگلیسی: IGFET، Insulated Gate FET) نیز گفته می‌شود.
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.
فهرست مطالب:
مقدمه
نحوه عملکرد
ایجاد کانالی برای عبور جریان
ترانزیستور NMOS
اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
رابطه جریان و ولتاژ
افزایش ولتاژ Vds
اشباع ترانزیستور
بدست آوردن رابطه جریان و ولتاژ
جریان در ناحیه تریود
جریان در ناحیه اشباع
تکنولوژی زیرمیکرونی
ترانزیستور PMOS
ترانزیستور CMOS
شمای ترانزیستور
عملکرد در ناحیه زیر آستانه
مشخصه Id-Vds
مقاومت کانال
اثر محدود بودن مقاومت خروجی
اثر تغییر طول کانال در مقدار جریان
مقاومت خروجی
مدل ترانزیستور با در نظر گرفتن مقاومت خروجی
اثر بدنه
اثر حرارت
شکست و محافظت از ورودی
مدارات ماسفت در حالت DC
مثالها
استفاده از ترانزیستور ماسفت در مدارات تقویت کننده
مشخصه سیگنال بزرگ
انتخاب نقطه کار مناسب
روشهای مختلف بایاس کردن
مدار سیگنال کوچک
مقدار ترارسانایی
مدار معادل سیگنال کوچک
و...
پاورپوینت کامل ترانزیستورهای MOSFET و تقویت کننده های ماسفت در 101 اسلاید.
