این محصول در قالب پی دی اف و 57 صفحه می باشد.
این سمینار جهت ارائه در مقطع کارشناسی ارشد رشته مهندسی برق-الکترونیک طراحی و تدوین گردیده است . و شامل کلیه مباحث مورد نیاز سمینار ارشد این رشته می باشد.نمونه های مشابه این عنوان با قیمت های بسیار بالایی در اینترنت به فروش می رسد.گروه تخصصی ما این سمینار را با قیمت ناچیزی جهت استفاده دانشجویان عزیز در رابطه با منبع اطلاعاتی در اختیار شما قرار می دهند. حق مالکیت معنوی این اثر مربوط به نگارنده است. و فقط جهت استفاده ازمنابع اطلاعاتی و بالابردن سطح علمی شما در این سایت ارائه گردیده است.
چکیده :
در این سمینار مشخصه هایDG-SOI MOSFETS در جهت بهینه سازی عملکرد این
ترانزیستور مورد بررسی قرار گرفته است . برای بهینه سازی از روش تغییر ابعاد
ترانزیستورها و کاهش ولتاژ تغذیه استفاده شده است . مزایای نحوه به کارگیری در
مدار و ساختار های مختلف افزاره ماسفت در گیتی سیلیکان برروی عایق
DG-SOI MOSFETS مورد بررسی قرار گرفته است . ماسفت دو گیتی به عنوان افزاره
مناسب و ناحیه زیر آستانه به عنوان مناسب ترین ناحیه برای کاربردهای توان پایین
معرفی شده اند اثرات تغییر پارامترهای ساختاری برروی مشخصات الکتریکی افزاره
نانومتری DG-SOI MOSFETS در ناحیه زیر آستانه با استفاده از شبیه سازی در نرم
افزار ISE-TCAD مورد بررسی قرار گرفته است . شبیه سازی های انجام شده نشان
می دهد که کاهش ضخامت بدنه منجر به کاهش ارتفاع سد پتانسیل و افزایش خازن
موثر گیت می شود در صورتیکه جریان حالت روشن افزاره کاهش می یابد .این امر
ناشی از کاهش قابلیت حرکت الکترون ها در اثر ضخامت بدنه می باشد .با کاهش طول
نواحی سورس و درین خازن های لبه ای کوچک می گردند و در نتیجه CG,EFF کاهش
می یابد . این در حالی است که مشخصه ولتاژ جریان و نیز ارتفاع سد پتانسیل تغییر
چندانی نمی کنند.
سمینار کارشناسی ارشد برق بررسی مشخصه های الکتریکی DG-SOI MOSFETS
