دانلود مقاله کامل درباره مقاومت و دیود

اختصاصی از رزفایل دانلود مقاله کامل درباره مقاومت و دیود دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 10

پاسارد 700

   - خصوصیات فنی مهندسی گیت

   - مشخصات سیستم مدیریتی گیت

پاسارد 700

اگر بیان برتری های گیت  PASSARD 700  را خودستائی تعبیر نفرمائید باید گفت این گیت یکی از پیشرفته ترین نمونه های موجود در میان انواع مشابه خود میباشد .که حاصل هشت سال تحقیق و تولید مداوم متخصصین این شرکت در ایران  بوده و  از نظر کارا ئی میتواند با انواع نمونه های خارجی مشابه رقابت نماید و حتی در مواردی از آنها برتر باشد .

PASSARD 700  را میتوان یک گیت نسل جدید نامید ، زیرا اولین گیت صد در صد هوشمند است که نسبت به نسلهای قبلی خود از ویژگیها و امکانات بسیار پیشرفته تری برخوردار میباشد ، و به همین دلیل ، چه از نظر ظاهری و ساختار فیزیکی و چه از نظر سیستم الکترونیکی با انواع مدل های قدیمی خود قابل مقایسه نمیباشد  و بهترین گواه براین مهم ، مقایسه خصوصیات ظاهری و  پارامترهای الکترونیک موجود در آن ، نسبت به مدل های قدیمی است .

همچنین میتوان از مهمترین ویژگی های این گیت جدا از مسائل فنی نسبت به انواع مشابه خارجی ، به موارد ذیل توجه نمود :

1- توسط هموطنان شما طراحی وتولید گردیده است .

2- دارای ضمانت یک ساله وخدمات بعد از فروش  دائم که یکی از مهمترین فاکتورهای مطرح در استفاده از تجهیزات فنی است میباشد .

3- بهای آن به نسبت قابل ملا حظه ای کمتر از انواع مشابه خارجی است و هزینه های بیمه ، حمل  و گمرکی کالاهای وارداتی را ندارد .

4- خرید آن ضمن حمایت از صنعت داخلی موجب عدم خروج ارز از کشور میگردد .

5- مشکلات ثبت و سفارش و دریافت مجوز ترخیص و دیگر مشکلات تبعی آنرا ندارد .

6- زمان سفارش و دریافت آن  به نسبت گیت های خارجی به مراتب کمتر و در مواردی بلافاصله میباشد .

خصوصیات فنی مهندسی گیت    PASSARD 700

الف : دروازه عبور

دروازه عبور گیت شامل دو دیواره و یک کتیبه میباشد که قسمت های مختلف آن در ذیل بطور مختصر تشریح شده است :

1- دیواره ها :

واضح است که دیواره های گیت میبایست با استفاده از مواد غیر فلزی ساخته شود ، لذا با توجه به عدم استحکام و نازکی ورق های پلاستیکی ، هردو دیواره گیت  از MDF  8 میلیمتر که نوعی ماده چوبی ضد آب و رطوبت میباشد ، ساخته شده است و برای زیبائی و استحکام بیشتر در مقابل تأثیر عوامل جوی با FORMICA  روکش گردیده اند.

2- لبه جلو و عقب دیواره ها  :

تجربه نشان داده است که آسیب پذیرترین قسمت بدنه گیت این لبه ها میباشند ، زیرا هم در زمان حمل و نقل و هم در زمان استفاده از گیت در معرض بر خورد با عوامل اطراف خود هستند ، به همین دلیل وبرخلاف اکثر گیت های خارجی که لبه دیواره های آنها از پلاستیک ساخته شده  در PASSARD 700  لبه دیواره ها توسط یک قاب ساخته شده از ، آلومینیوم  5/1 میلیمتر با پوشش رنگ استاتیک ، پوشیده شده است ، این قاب ضمن افزایش زیبائی ظاهری گیت به نحوی طراحی شده که کلیه قسمت های دیگر دیواره از قبیل : چراغ های بخش MULTIPLE DISPLAY  ، قسمت های روکش پلاستیکی مخصوص این چراغ ها ،کلیه کابل های انتقال تغذیه وسایر امکانات گیت را درخود جای دهد و بعنوان یک شیلد ضد نویز برای کلیه این کابلها بخصوص کابلهای تغذیه 220 ولت و باطری 12 ولت External ایفای نقش نماید .

3- پوشش ابتدائی و انتهائی دیواره :

به منظور مختصر نویسی نام این دو بخش ، آنها را به ترتیب درب و کفش مینامیم

هردو بخش فوق توسط ورق پلاستیک 3 میلیمتر ساخته شده است اما به دلیل استحکام کفش ، بدنه آن بصورت دو جداره طراحی گردیده و سپس فضای بین جداره ها با نوعی رزین مخصوص و بسیار مقاوم کاملا پرشده است تا بتواند ضمن تحمل وزن کلی گیت ، در مقابل فشارهای ناشی از جابجائی گیت نیز مقاومت نماید .

4- کتیبه :

 قسمت بالائی گیت کتیبه نام دارد که کلیه تجهیزات الکترونیک گیت در آن نصب میگردد و دودیواره گیت را بهم مرتبط مینماید لذا باید از استحکام کافی برخوردار باشد به همین دلیل کل بدنه کتیبه با استفاده از MDF  16 میلیمتر و روکش FORMICA  ساخته شده است و قسمت هائی از آن بمنظور زیبائی با  رنگ مخصوص پوشش داده شده است .

5- پانل نمایشگر گیت :

صفحه نمایشگر گیت ، در روی کتیبه تعبیه شده که حاوی 12 عدد نمایشگر ماتریس ( 4 سبز و 8 قرمز ) جهت مشاهده کلیه تنظیمات و اطلاعات سیستم میباشد ، همچنین  شما میتوانید با استفاده از4 عدد شاسی کلیه عملیات ،  ورود ، خروج ، تغییر و ثبت اطلاعات را مطابق نظر خود انجام دهید.    

شکل زیر ابعاد هندسی دروازه عبور را بطور نسبی نشان میدهد :

 ب : الکترونیک در PASSARD 700 :

دراین قسمت نوع سیستم و مدارات الکترونیک استفاده شده در PASSARD 700  بطور مختصر تشریح شده است

1- نوع سیستم

درگیت های نسل قدیم معمولا یکی از سه سیستم  :

1- فرستنده و گیرنده رادیوئی Transmitter & Receiver  با علامت اختصاری TR

2- فرکانسی با اسیلاتور  Balance Frequency Oscillator با علامت

دانلود مقاله کامل درباره دیود چیست

اختصاصی از رزفایل دانلود مقاله کامل درباره دیود چیست دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 7

دیود چیست؟

مقدمه

دیودها جریان الکتریکی را در یک جهت از خود عبور می‌‌دهند و در جهت دیگر در مقابل عبور جریان از خود مقاومت بالایی نشان می‌‌دهند. این خاصیت آنها باعث شده بود تا در سالهای اولیه ساخت این وسیله الکترونیکی ، به آن دریچه یا Valve هم اطلاق شود. از لحاظ الکتریکی یک دیود هنگامی عبور جریان را از خود ممکن می‌‌سازد که شما با برقرار کردن ولتاژ در جهت درست (+ به آند و - به کاتد) آنرا آماده کار کنید. مقدار ولتاژی که باعث می‌شود تا دیود شروع به هدایت جریان الکتریکی نماید ولتاژ آستانه یا (forward voltage drop) نامیده می‌شود که چیزی حدود ۰.۶ تا ۰.۶ ولت می‌‌باشد.

ولتاژ معکوس

هنگامی که شما ولتاژ معکوس به دیود متصل می‌‌کنید (+ به کاتد و - به آند) جریانی از دیود عبور نمی‌کند، مگر جریان بسیار کمی که به جریان نشتی یا Leakage معرف است که در حدود چند µA یا حتی کمتر می‌‌باشد. این مقدار جریان معمولآ در اغلب مدارهای الکترونیکی قابل صرفنظر کردن بوده و تأثیر در رفتار سایر المانهای مدار نمی‌گذارد. اما نکته مهم آنکه تمام دیودها یک آستانه برای حداکثر ولتاژ معکوس دارند که اگر ولتاژ معکوس بیش از آن شود دیود می‌‌سوزد و جریان را در جهت معکوس هم عبور می‌‌دهد. به این ولتاژ آستانه شکست یا Breakdown گفته می‌شود.

دسته بندی دیودها

در دسته بندی اصلی ، دیودها را به سه قسمت اصلی تقسیم می‌‌کنند، دیودهای سیگنال (Signal) که برای آشکار سازی در رادیو بکار می‌‌روند و جریانی در حد میلی آمپر از خود عبور می‌‌دهند، دیودهای یکسو کننده (Rectifiers) که برای یکسو سازی جریانهای متناوب بکار برده می‌‌شوند و توانایی عبور جریانهای زیاد را دارند و بالاخره دیودهای زنر (Zener) که برای تثبیت ولتاژ از آنها استفاده می‌شود.

اختراع دیود پلاستیکی (plastic diode)

محققان فیزیک دانشگاه اوهایو (Ohio State University) توانستند دیود تونل پلیمری اختراع کنند. این قطعه الکترونیکی منجر به ساخت نسل آینده حافظه‌های پلاستیکی کامپیوتری و چیپهای مدارات منطقی خواهد شد. این قطعات کم مصرف و انعطاف پذیر خواهند بود. ایده اصلی از سال ۲۰۰۳ که یک دانشجوی کارشناسی دانشگاه اوهایو ، سیتا اسار ، شروع به طراحی سلول خورشیدی پلاستیکی نمود بوجود آمد. تیم پژوهشی توسط پاول برگر (Paul Berger) ، پروفسور الکترونیک و مهندسی کامپیوتر و همچنین پروفسور فیزیک دانشگاه اوهایو رهبری می‌شود.

دیود چیست ؟

از اتصال دولایه p & n دیود درست می شود

۱- بعد از پیوند نیمه هادی نوع p & n کنار یکدیگر ، الکترونهای آزاد و حفره ها از محل پیوند عبور کرده ، با هم ترکیب می شوند و تشکیل یک لایه سد یا عایق می دهند .

۲- یک منطقه تخلیه در محل پیوند ها ایجاد می شود که فاقد الکترونهای آزاد و حفره ها می باشد ، لکن اتمهایی که الکترون از دست داده و یا گرفته اند ، در دو طرف لایه سد و در منطقه تخلیه وجود دارند .

۳- اتمهای یونیزه شده ، ایجاد سد پتانسیل می کنند که برای نیمه هادی ژرمانیومی حدود ۰.۲ ولت است و برای نیمه هادی سیلسیمی حدود ۰.۶ ولت است .

۴- سد پتانسیل باعث که از حرکت و ترکیب بیشتر الکترونها و حفره ها در لایه سد جلوگیری به عمل آید .

۵- کریستال نیمه هادی نوع p دارای بار الکتریکی مثبت و کریستال نیمه هادی n دارای بار الکتریکی منفی می باشد .

بایاس دیود

وصل کردن ولتاژ به دیود را بایاس کردن دیود می گویند .

بایاس مستقیم

اگرنیمه هادی نوع p به قطب مثبت باتری و نیمه هادی نوع n به قطب منفی آن وصل شود و ولتاژ از پتانسیل سد دیود بیشترباشد ، در مدار جریان بر قرار خواهد شد .

بایاس معکوس

اگر قطب مثبت باتری به نیمه هادی نوع n وصل شود و قطب منفی باتری به نیمه هادی نوع p وصل شود ، جریانی در مدار نخواهیم داشت .

تست دیود

همانطور که گفته شد اگر دوید در بایاس موافق یا معکوس قرار بگیرد جریان را از خود عبور می دهد و ما می توانیم دیود را با یک مدار ساده سری کنیم ( البته با رعایت قطبهای دیود و باتری ) اگر مدار شروع به کار کرد پس دیود سالم است و در غیر این صورت دیود سوخته شده است .

انواع دیود ها

۱- دیود اتصال نقطه ای

۲- دیود زنر

۳- دیود نور دهنده LED

۴- دیود خازنی ( واراکتور )

۵- فتو دیود

دیود اتصال نقطه ای

دیود های معمولی در بایاس معکوس ایجاد ظرفیت خازنی ( حدود PF ) می کنند . اگر بخواهیم در فرکانس های بالا به کار می بریم ، به علت ظرفیت خازنی در بایاس معکوس ، جریان در مدار عبور می کند . چون در فرکانس های بالا مقاومت دیود کم می شود . برای جلوگیری از این کار از دیود اتصال نقطه ای استفاده می کنیم

دید زنر

حقیق و بررسی در مورد دیود زنر 30 ص

اختصاصی از رزفایل حقیق و بررسی در مورد دیود زنر 30 ص دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 40

دیود زنر

دیود های زنر یا شکست ، دیود های نیمه هادی با پیوند p-n هستند که در ناحیه بایاس معکوس کار کرده و دارای کاربردهای زیادی در الکترونیک ، مخصوصآ به عنوان ولتاژ مبنا و یا تثبیت کننده ی ولتاژ دارند.

هنگامیکه پتانسیل الکتریکی دو سر دیود را در جهت معکوس افزایش دهیم در ولتاژ خاصی پدیده شکست اتفاق می افتد، بد ین معنی که با افزایش بیشتر ولتاژ ، جریان بطور سریع و ناگهانی افزایش خواهد داشت. دیود های زنر یا شکست دیود هایی هستند که در این ناحیه یعنی ناحیه شکست کار میکنند و ظرفیت حرارتی آنها طوری است که قادر به تحمل محدود جریانمعینی در حالت شکست می باشند، برای توجیه فیزیکی پدیده شکست دو نوع مکانیسم وجود دارد.

مکانیسم اول در ولتاژهای کمتر از 6 ولت برای دیودهایی که غلظت حامل ها در آن زیاد است اتفاق می افتد و به پدیده شکست زنر مشهور است. در این نوع دیود ها به علت زیاد بودن غلظت ناخالصی ها در دو قسمت p و n ، عرض منطقه ی بار فضای پیوند باریک بوده و در نتیجه با قرار دادن یک اختلاف پتانسیل v بر روی دیود (پتانسیل معکوس) ، میدان الکتریکی زیادی در منطقه ی پیوند ایجاد می شود.

با افزایش پتانسیل v به حدی می رسیمکه نیروی حاصل از میدان الکتریکی ، یکی از پیوند های کووالانسی را می شکند. با افزایش بیشتر پتانسیل دو سر دیود از انجایی که انرژی یا نیروهای پیوند کووالانسی باند ظرفیت در کریستال نیمه هادی تقریبأ مساوی صفر است ، پتانسیل تغییر چندانی نکرده ، بلکه تعداد بیشتری از پیوندهای ظرفیتی شکسته شده و جریان دیود افزایش می یابد.

آزمایش نشان میدهد که ضریب حرارتی ولتاژ شکست برای این نوع دیود منفی است ، یعنی با افزایش درجه حرارت ولتاژ شکست کاهش می یا بد. بنابر این دیود با ولتاژ کمتری به حالت شکست می رود (انرژی باند غدغن برای سیلیکن و ژرمانیم در درجه حرارت صفر مطلق بترتیب 1.21 و0.785 الکترون_ولت است، و در درجه حرارت 300 درجه کلوین این انرژی برای سیلیکن ev 1.1و برای ژرمانیم ev0.72 خواهد بود). ثابت می شود که می دان الکتریکی لازم برای ایجاد پدیده زنر در حدود 2*10است.

این مقدار برای دیود هایی که در آنها غلظت حامل ها خیلی زیاد است در ولتاژهای کمتر از 6 ولت ایجاد می شود . برای دیودهایی که دارای غلظت حاملهای کمتری هستند ولتاژ شکست زنر بالاتر بوده و پدیده ی دیگری بنام شکست بهمنی در آنها اتفاق می افتد (قبل از شکست زنر) که ذیلأ به بررسی آن می پردازیم.

مکانیسم دیگری که برای پدیده شکست ذکر می شود ، مکانیسم شکست بهمنی است. این مکانیسم در مورد دیودهایی که ولتاژ شکست آنها بیشتر از 6 ولت است صادق می باشد . در این دیود ها به علت کم بودن غلظت ناخالصی ، عرض منطقه ی بار فضا زیاد بوده و میدان الکتریکی کافی برای شکستن پیوندهای کووالانسی بوجود نمی آید ، بلکه حاملهای اقلیتی که بواسطه انرژی حرارتی آزاد می شود ، در اثر میدان الکتریکی شتاب گرفته و انرژی جنبشی کافی بدست آورده و در بار فضا با یون های کریستال برخورد کرده و در نتیجه پیوندهای کووالانسی را می شکنند . با شکستن هر پیوند حاملهای ایجاد شده که خود باعث شکستن پیوند های بیشتر می شوند .

بدین ترتیب پیوندها بطور تصاعدی یا زنجیری و یا بصورت پدیده ی بهمنی شکسته می شوند و این باعث می شود که ولتاژ دو سر دیود تقریبأ ثابت مانده و جریان آن افزایش یافته و بواسطه ی مدار خارجی محدود می شود . چنین دیود هایی دارای ضریب درجه ی حرارتی مثبت هستند . زیرا با افزایش درجه ی حرارت اتمهای متشکله کریستال به ارتعاش در آورده ، در نتیجه احتمال برخورد حاملهای اقلیت با یونها ، بهنگام عبور از منطقه بار فضا زیادتر می گردد . به علت زیاد شدن برخوردها احتمال اینکه انرژی جنبشی حفره یا الکترون بین دو برخورد متوالی بمقدار لازم برای شکست پیوند برسد کمتر شده و در نتیجه ولتاژ شکست افزایش می یابد.

همانطور که در مبحث الکتریسته گفتیم عناصر ژرمانیوم و سیلیکون در آخرین مدار یا لایه اتمی خود دارای 4 الکترون هستند که تمایل به جذب یا از دست دادن الکترون ها به منظور تکمیل مدار آخر خود تا رسیدن به 8 الکترون را دارند. با اضافه کردن مقدار کمی اتم نا خالصی به نیمه هادی مذکور امکان ازدیاد بار الکتریکی بوجود خواهد آمد مثلا" ترکیب اتم ژرمانیوم که دارای 4 الکترون در مدار خارجی می باشد با ارسنیک که 5 الکترون دارد پیوندهای مشترکی با یک الکترون اضافی برای هر اتم نا خالصی ارسنیک بوجود می آید در نتیجه جسم حاصل منفی ویا نیمه هادی نوع N حاصل می شود .برای حالت عکس هم به همین ترتیب است یعنی اگر مقداری ژرمانیوم را با مقداری گالیوم که دارای 3 الکترون در مدار خارجی است

دانلود دیود و انواع آن , word

اختصاصی از رزفایل دانلود دیود و انواع آن , word دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*  فرمت فایل:Word  قابل ویرایش و آماده پرینت. تعداد صفحه15

فهرست مطالب

دیود چیست ؟ از اتصال دولایه p & n دیود درست می شود

بایاس دیود

بایاس مستقیم

بایاس معکوس

تست دیود

انواع دیود ها

دیود اتصال نقطه ای

دیود زنر

دیودهای سیگنال و زنر

انواع دیودهای قدرت

دیودهای همه منظوره

 دیودهای بازیابی معکوس

 دیودهای شاتکی

• دسته بندی دیودها

اختراع دیود پلاستیکی

پروژه دیود و انواع آن فایل word. شامل 15 صفحه. مناسب جهت انجام تحقیقات، پروژه ها و پایان نامه های دانشجویی و مقالات درسی

دستورکار آزمایشگاه الکترونیک

اختصاصی از رزفایل دستورکار آزمایشگاه الکترونیک دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

با سلام:

قابل توجه همکاران و اساتید دانشگاههای مختلف

این دستور کار آزمایششگاه الکترونیک حاصل 8 سال ندریس و کار در دانشگاههای مختلف  ازجمله تدریس در آموزشکده فنی قوچان و دانشگاه علمی کار بردی مدیریت صنعتی مشهد می باشد .

پوشه فایلها شامل 4 فایل pdf می باشد که دو pdf یک صفحه ای که شامل عنوان دستورکار آزمایشگاه و یک pdf دیگر شامل فهرست آزمایشهای دستورکارمی باشد و pdf سوم شامل شرح آزمایشها می باشد که این pdf شامل 49 صفحه می باشد وpdf چهارم ضمیمه الف شامل 4 صفحه می باشد.

فهرست درستورکار آزمایشگاه الکترونیک به صورت زیر می باشد:

فهرست                                                   شماره صفحه

آزمایش اول : منحنی مشخصه دیود                                       1

آزمایش دوم : یکسوکننده نیم موج                                       7

آزمایش سوم :یکسوکننده تمام موج با ترانس سر وسط           10

آزمایش چهارم :یکسوکننده تمام موج پل                            13

آزمایش پنجم : مدارات برش دهنده                                   16

آزمایش ششم : مدارات مهار کننده ( جابجا کننده ):             20

آزمایش هفتم : مدارات چند برابر کننده ولتاژ :                     23

آزمایش هشتم : ترانزیستور و بایاس DC  ثابت:                   26

آزمایش نهم : بایاس سرخود و منحنی مشخصه ترانزیستور:       29

آزمایش دهم : تقویت کننده امیترمشترک:                           32

آزمایش یازدهم : تقویت کننده بیس مشترک :                       38

آزمایش دوازدهم : تقویت کننده کلکتور مشترک :                 40

آزمایش سیزدهم : رگولاتورهای ولتاژ :                                 43

آزمایش چهاردهم : تقویت کننده های چند طبقه وفیدبک :  46

ضمیمه الف                                                                           50