رزفایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

رزفایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

تحقیق درباره اثرکوانتومی هال

اختصاصی از رزفایل تحقیق درباره اثرکوانتومی هال دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 11

 

به نام خدا

«اثرکوانتومی هال»

استادراهنما:دکتربشیری

تهیه وتنظیم:

پگاه امیراصل

فرزانه بیات

اثر هال

یکی از پدیده های هال جالب توجه مبحث مغناطیسی است که در سال 1879 به وسیله ادوین هر برت هال کشف شد و اثر هال نامیده شد. هال در آن زمان دانشجوی دانشگاه جانزها پکینز

بود و بعدها به استادی دانشگاه هاروارد رسید. اثر هال از حرکت ذرات باردار در دو میدان توام الکتریکی، مغناطیسی ناشی می شود. وقتی یک جریان الکتریکی در طول یک رسانا یا نیم رسانای تیغه ای شکل بر قرار باشد در این رسانا ( یا نیم رسانا ) در میدانی مغناطیسی عمود بر سطع تیعه باشد بر همکنش حامل های بار و میدان مغناطیسی موجب می شود که یک اختلاف پتانسیل الکتریکی به تدریج در راستای عمود بر میدان مغناطیسی، جریان الکتریکی در رسانا یا نیم رسانا به وجود آید. فرض کنید که در یک تیغه رسانا یا نیم رسانا به شکل مکعب مستطیل و به سطح مقطع ab، جریانی الکتریکی به شدت I، در راستای محور x بر قرار باشد.پس از برقراری جریان الکتریکی، حامل Y بار یک سرعت پیشروی Vd پیدا می کنند که در مورد الکترون 2 در خلاف جهت و در مورد حفره ها در جهت میدان الکتریکی است. در غیاب میدان مغناطیسی، اختلاف پتانسیل بین نقاط P و Q دیواره های جانبی، که در روی یکی از صفحات هم پتانسیل قرار دارند. برابر صفر است. اکنون اگر یک میدان مغناطیسی B، در جهت محور Z ( عمود برE سطح تیغه)بر این تیغه اعمال شود در نتیجه نیروی لورنتس ناشی از میدان مغناطیسی حامل های بار به قسمت دیواره های جانبی منحرف می شوند و در این دیواره ها انباشته میشوند و در نتیجه یک اختلاف پتانسیل فزاینده: VH بین دیواره های جانبی به وجود می آید که نتیجه آن تولید یک میدان الکتریکی E در جهت محور Y است پس حامل های بار تحت تاثیرنیروی حاصل از این میدان الکتریکی اضافی هم قرار می گیرند وقتی دو نیروی ناشی از میدان الکتریکی هال و میدان مغناطیسی اعمال شد.( که در دوجهت مخالف یکدیگرند) مساوی هم شوند حامل های بار دیگر تمایلی به تجمع در دیواره ها نشان نمی دهند و حالت تعادل بر قرار و افزایش اختلاف پتانسیل متوقف می شود. البته اگر شدت میدان B افزایش یابد- الکترون های بیشتری به طرف دیواره منحرف می شوند و در نتیجه اختلاف پتانسیل افزایش می یابد. این پتانسیل به پتانسیل هال معروف است.

تجربه نشان داده است که در مواقعی که میدان مغناطیسی خیلی قوی نیست VH با القای مغناطیسی B و شدت جریان I و عکس ضخامت تیغه متناسب است:

چگالی متوسط جریان حامل ها بار در نمونه

ضریب CH را ثابت هال گویند.

نیروی لورنتس وارد بر هر الکترون با بار e :

 

میدان حاصل از تجمع بارها در دیوارها ناشی ازنیروی لورنتس :

نیروی وارد بر حامل بار ناشی از EH :

 

تجمع بارها در دیواره های تا زمانی ادامه پیدا می کند که داشته باشیم:

پس از این لحظه عمل تجمع یافتن حامل های بار متوقف می شود و حامل های بار چنان حرکت می کنند که گویی فقط تحت تاثیر میدان الکتریکی اعمال شده هستند پیشروی آن ها در امتداد محور X خواهد بود.

از طرفی چگالی جریان در هر رسانا عبارت است از j=envکه در آن n غلظت الکترون های است (

بنابراین به طور نظری برای VH رابطه ای به دست می آید که با آنچه از آزمایش حاصل شده بود سازگار است پس ثابت هال عبارت است از:

 

حدود صد سال پس از کشف اثر کلاسیک هال، کادوس کلیتسینک، دردا و پیر رفتار عجیبی را در مقاومت هال مشاهده کردند در این آزمایش کوانتینه، بودن مقاومت هال کشف شد یعنی متوجه شدندتغییرات مقاومت هال به صورت پله ای است و مقدار مقاومت مربوط به هر یک از این پله ها یا سکوها به طوراعجاب انگیزی ثابت است. این مقدار به جنس ماده مورد آزمایش، شکل هندسی نمونه و سایر عوامل بستگی ندارند و با دقت زیاد فقط تابع دو"ثابت بنیادی فیزیک، عدد پلانک h و بار الکتریکی الکترون e است.از همه مهمتر این که، مقدار مقاومت هال از یک سکوبه سکوی دیگر به صورت تقسیماتی از یک واحد بنیادی کوانتوحی تغییر می کند:

 

همزمان با ثابت بودن مقاومت هال در سکوها، مقاومت الکتریکی طولی نمونه نیز به شدت افت می کند

و به مقداری به مراتب کمتر از مقاومت بهترین فلزات معمولی می رسد.


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق درباره اثرکوانتومی هال

دانلود مقاله حسگر اثر هال (سنسور)

اختصاصی از رزفایل دانلود مقاله حسگر اثر هال (سنسور) دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

دانلود مقاله حسگر اثر هال (سنسور)


دانلود مقاله حسگر اثر هال (سنسور)

اثر هال توسط دکتر ادوین هال (Dr. Edwin Hall) در سال ۱۸۷۹ کشف شد.او پی برد وقتی که میدان مغناطیسی عمودی یک آهنربا به یک ضلع مستطیل نازکی از جنس طلا که دارای جریان الکتریکی است وارد می‌شود باعث بوجودامدن اختلاف پتانسیل در ضلع مقابل می‌گردد. همچنین او با این نکته پی برد که میزان ولتاژ به اندازه جریان عبوری از رسانا و چگالی شار مغناطیسی عمود بر صفحه مستطیل بستگی دارد.

شکل ۱-۱ یک صفحه نازک از ماده هال را نشان می‌دهد که حامل جریانI در امتداد محور طولی می‌باشد. ماده هال می‌تواند  یا نیمه رساناهایی از نوع P مانند آرسناید گالیوم یا GaAs، آنتیموناید ایندیوم یا InSb وآرسناید ایندیوم یا InAs باشد. ولتمتری در مسیر محور عرضی این صفحه قرار داده شده‌است که در غیاب میدان مغناطیسی عمود بر صفحه ولتاژ صفر را نمایش می‌دهد. شکل هنگامیکه یک میدان مغناطیسی در جهت محور عمود بر صفحه نیمه رسانا به آن اعمال شود (مطابق شکل ۲-۱) نیروی لورنتز(به انگلیسی:Lorentz Force) بر حامل‌های بار(الکترونها و حفره‌ها) اعمال شده در نتیجه آنها به دو طرف صفحه نیمه هادی رانده می‌شوند. در نتیجه اختلاف پتانسیلی در عرض صفحه بوجود آمده و ولتمتر ولتاژ اندکی را نشان می‌دهد که به آن ولتاژ هال () می‌گویند. در صورتی که جهت میدان مغناطیسی برعکس گردد، ولتاژ بوجور آمده نیز در جهت مخالف ظاهر می‌گردد. دربارهٔ کشف اثر هال آنجه باعث شگفتی است این نکته‌است که حتی در شرایط حالت ماندگار (steady state) نیز شاهد این پدیده هستیم. به این معنی که وقتی میدان مغناطیسی اعمالی و جریان

شامل 6 صفحه فایل word قابل ویرایش


دانلود با لینک مستقیم


دانلود مقاله حسگر اثر هال (سنسور)

اثر کوانتومی هال

اختصاصی از رزفایل اثر کوانتومی هال دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

اثر کوانتومی هال


اثر کوانتومی هال

پاورپوینت با موضوع اثر کوانتومی هال

تعداد صفحات:48

فرمت: ppt پاورپوینت

زبان: فارسی

 

شامل: 

 1- اثر کلاسیکی  هال

 2-مقدمه ای بر اثر کوانتومی هال

3- اثر کوانتومی صحیح وکسری هال

 4- نتیجه گیری


دانلود با لینک مستقیم


اثر کوانتومی هال

نسخه هک شده کلش آف کلنز + تان هال 11 + ورود به کلن V۸٫۲۱۲٫۹

اختصاصی از رزفایل نسخه هک شده کلش آف کلنز + تان هال 11 + ورود به کلن V۸٫۲۱۲٫۹ دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

نسخه هک شده کلش آف کلنز + تان هال 11 + ورود به کلن V۸٫۲۱۲٫۹


نسخه هک شده کلش آف کلنز + تان هال 11 + ورود به کلن V۸٫۲۱۲٫۹

مژده                                    مژده

نسخه هک شده کلش آف کلنزدیگری را برای شما آماده کرده ایم  در این نسخه بازی ، همه چیز بی نهایت است و می توانید همه سربازان را به راحتی بسازید ، این بازی هم مستقل از بازی کلش آف کلنز اصلی می باشد و آسیبی به آن وارد نمی کند

نسخه بدون نیاز به روت و بدون نیاز به حذف نسخه اصلی کلش 

در این نسخه سرور همیشه انلاین هست

 

امکانات کلش بینهایت جم

جم و اکسیر و سکه و دارک اکسیر بینهایت و تمام نشدنی

بدون نیاز به روت کردن گوشی

رفع بسیاری از مشکلات قبلی

امکان اتک زدن و ویزیت کردن دیگران

فعال بودن کلن کستل با کلیه ی امکانات

قابلیت چت بین کاربران کلن و گلوبال

امکان بازی تا تاون هال لول ۱۱

اضافه شدن پادشاه جدید اضافه شدن

سرباز جدیدblower

اضافه شدن ساختمان دفاعی جدید

امکان چیدن مپ بدون هیچ محدودیتی به شکل دلخواه

امکان مکس کردن کلیه ی سربازها و اسپلها در کمتر از یک دقیقه

بدون نیاز به حذف نسخه اصلی کلش


 
 
شما میتوانید این هک را با قیمتی فوق العاده خریداری و لینک دانلود را دریافت کنید
توجه: وقتی شما فایل را باز میکنید یک فایل PDF مشاهده میکنید که در آن لینک دانلود 3 سرور هک شده کلش آف کلنز وجود دارد و شما میتوانید آنها را به دلخواه دانلود و نصب کنید.

 


دانلود با لینک مستقیم


نسخه هک شده کلش آف کلنز + تان هال 11 + ورود به کلن V۸٫۲۱۲٫۹

پایانامه سنسورهای اثر هال

اختصاصی از رزفایل پایانامه سنسورهای اثر هال دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

پایانامه سنسورهای اثر هال


پایانامه سنسورهای اثر هال

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)


تعداد صفحه:45

فهرست:

سنسورهای اثر هال

ویژگیهای عمومی

تاریخچه

تئوری اثرهال

اساس سنسورهای اثرهال

عنصرهال، سنسور میدان مغناطیسی است. باتوجه به ویژگیهای ولتاژ خروجی این سنسور نیاز مندیک طبقه تقویت کننده و نیز جبران ساز حرارتی است. چنانچه از منبع تغذیه با ریپل فراوان استفاده کنیم وجود یک رگولاتور ولتاژ حتمی است.

رگولاتور ولتاژ باعث می شود تا جریان I ثابت باشد بنابراین ولتاژ هال تنها تابعی از شدت میدان مغناطیسی می باشد.

اگر میدان مغناطیسی وجود نداشته باشد ولتاژی تولید نمی شود. با وجود این اگر ولتاژ هر ترمینال اندازه گیری شود مقداری غیر ا ز صفر به ما خواهد داد. این ولتاژ  که برای تمام ترمینال ها یکسان است با (CMV) Common Mode Voltage شناخته می‌شود. بنابراین تقویت کننده بکار گرفته شده می بایست یک تقویت کننده تفاضلی باشد تا تنها اختلاف پتانسیل را تقویت


دانلود با لینک مستقیم


پایانامه سنسورهای اثر هال