در این مقاله یک ضرب کننده SI [1]چهار ربعی مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای MOS که در ناحیه اشباع کار می‌کنند طراحی شده است. ضرب کننده جریان شامل دو سلول دو برابر کننده و دو سلول حافظه است. مدار با منابع ولتاژ 3V کار می‌کند. مدار دارای محدوده دینامیکی بالا است و دارای اعوجاج هارمونیک کل [2]کم است. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از شبیه سازی با HSPICE با تکنولوژی 0.5µm انجام شده است.
شامل 13 صفحه فایل word قابل ویرایش
تحقیق در ضرب کننده ها