رزفایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

رزفایل

مرجع دانلود فایل ,تحقیق , پروژه , پایان نامه , فایل فلش گوشی

بیهوشی

اختصاصی از رزفایل بیهوشی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 55

 

(فصل اول)

مقدمه

هدف کلی

اهداف جزئی

فرضیات پژوهش

تعریف واژه ها

محدودیت های پژوهش

1-1-مقدمه

یکی از عوارض بیهوشی عمومی به یاد آوردن حوادث حین عمل به دلیل ناکافی بودن عمق بیهوشی می باشد که این حالت می تواند در آینده برای بیمار توأم با مشکلات روحی و روانی باشد از جمله افسردگی-اختلالات اضطرابی-افکار خودکشی و فوبیا و... . که گاهگاً ریشه اصلی این اختلالات توسط روانپزشک نیز قابل کشف نبوده و خود بیمار نیز قادر به بیان وتوضیح علت بیماری خود نمی باشد. امروزه با مانیتورینگ های مخصوص تعیین عمق بیهوشی از بروز بیهوشی سبک و نهایتاً Awareness جلوگیری به عمل می آید یعنی در صورت بروزیک بیهوشی سبک سریعاً توسط داروهای مختلف عمق بیهوشی را بیشتر (Deep ) می کند ولی بسیاری از بیمارستانها به دلیل نبودن این وسایل با بیش از مانیتورینگ این مهم نادیده و مستور می ماند. از زمانی که شل کننده ها وارد جراحی و بیهوشی شده اند برخی از بیماران به دلیل شلی و بی حرکتی ایجاد شده توسط این داروها دچار یک بیهوشی سبک می شوند. یعنی متخصصین با دیدن شلی بیمار نیازی به تجویزداروی بیهوشی نمی بینند و این بیماران که ظاهراً بیهوشی و جراحت موفقیت آمیزی داشته اند، به دلیل شنیدن صحبت های پرسنل و پزشکان حین عمل که خیلی از آنها دلهره آور و رنج آور می باشند دچار عوارض Awareness می شوند.

امروزه جلوگیری از Awareness و به یاد آوردن حوادث حین عمل متخصصین سعی می کنند که یک بیهوشی بالانس بدهند، یعنی برای درد بیمار مسکن کافی برای بیهوشی بیمار داروی هوشبری کافی (IV-استنشاقی و... ) و برای شلی وی داروی شل کننده کافی بدهند و بدین ترتیب سه ضلع اصلی مثلث برای انجام یک جراحی (بی دردی-بیهوشی-شلی) به مدت مناسب و متعادل و کافی فراهم می نماید. از آنجایی که برای بیماران ما EEG مانیتورینگ برای عمق بیهوشی انجام نمی شود و تقریباً طبق دوز کتابی و تاحدودی به صورت سنتی بیماران جنران آنستزیا General anesthesia اداره می شوند ما آمار دقیق از میزان بروز Awareness در محل کار خود نداریم لذا بر آن شدیم تا میزان بروز Awareness را با توجه به وضعیت و امکانات فعلی مرکز بسنجیم. ما خود بر این فرضیم که احتمالاً میزان این بروز در مراکز ما نسبت به آمریکا و اروپا بیشتر باشد.

2-1-«هدف کلی»


دانلود با لینک مستقیم


بیهوشی

حکاکی

اختصاصی از رزفایل حکاکی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

لینک دانلود و خرید پایین توضیحات

فرمت فایل word  و قابل ویرایش و پرینت

تعداد صفحات: 15

 

حکاکی لایه نازک SiO2

معمولاً بوسیله رقیق کردن یا Buffer کردن HF انجام می شود.

حکاکی های PSG 10 بار سریع تر از اکسید رشد یافته حرارتی می باشد.

حکاکی Anisotropic در مورد Si با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون در ترکیبی از C2 F6 و CH3F انجام می شود. قابلیت انتخاب روی Si خوب است، امّا روی Si3N4 خوب نیست .

حکاکی لایه نازک Si3N4

حکاکی کننده تر در دمای H3PO4,140 – 200C می باشد. SiO2 حاصل از لایه نشانی بخار شیمیایی یک ماسک حکاکی خوب است. قابلیت انتخاب روی Si خیلی خوب است. حکاکی Anisotropic برای Si3N4 با استفاده از حکاکی پلاسما به کمک یون ( Ion assisted Plasma etching ) در ترکیبی از C2F6 و CH3F انجام می شود.

حکاکی قربانی ( sacrificial )

قابلیت انتخاب حکاکی sacrifical روی Si باید خیلی بالا باشد. مواد متداول مورد استفاده PSG و Photorestis , Polyimide ها می باشند. PSG با استفاده از Resist برداشته می شود.

Polyimide ها با استفاده از حکاکی پلاسما برداشته می شوند.

2 – 14 – ساختار پایه ( Basic structures )

2 – 14 – 1 – در میکرو ماشینینگ توده ای سیلیکون

یکی از ممکن ترین و بارزترین ساختارها الگودهی هادی های عایق شده الکتریکی است. یکی از کاربردهای آن می تواند استفاده از میدان های الکتریکی برای ساختن سلول های انفرادی باشد.

حکاکی Anisotropic به وسیله KOH به آسانی می تواند کانال های V ( grooves ) شکل را ایجاد کند، یا گودال های ( Pits ) با دیواره های مخروطی شکل را داخل سیلیکون برش دهد.

شکل 2 – 32

KOH همچنین می توند برای ایجاد ساختارهای تپه ای شکل با شیب تند استفاده شود ( شکل a ). وقتی که تپه ها حکاکی شده و پی ریزی می شوند، گوشه ها می توانند به شکل اریب در بیایند. ( شکل b ). ماسک طراحی برای در برگرفتن ساختارهای اضافی در گوشه ها طراحی می شود. این ساختارهای جبران ساز آن چنان طراحی می شوند که وقتی که گوشه های 90 درجه تشکیل شدند، کاملاً حکاکی می شوند. یکی از مشکلات استفاده از ساختارهای جبران ساز برای تشکیل گوشه های راست زاویه این است که آنها محدودیتی روی کمترین فضای بین تپه ها ایجاد می کنند.

شکل 2 – 34

دیافراگم های سیلیکون از حدودm µ 50 به بالا به وسیله حکاکی ویفر کامل سیلیکون با KOH می تواند ساخته شود. ضخامت به وسیله زمان بندی حکاکی کنترل می شود و همین مسئله موضوعی برای خطاها می شود.

شکل 2 – 35

دیافرگم های نازک تر، در حدود ضخامت 20 µm می تواند با استفاده از بور برای متوقف کردن حکاکی KOH ساخته شود. ( شکل 2 – 36 ) ضخامت دیافراگم وابسته به عمق بور تزریق شده داخل سیلیکون می باشد، که می تواند خیلی دقیق تر از حکاکی KOH زمان بندی شده و کنترل شود.

( شکل 2 – 36 )

دیافراگم سیلیکون، ساختار پایه مورد استفاده در سنسورهای فشار میکرو مهندسی است. همچنین می تواند برای استفاده بعنوان یک سنسور شتاب وفق داده شود.

حکاکی وابسته به تلغیظ می تواند برای ایجاد پل های باریک یا میله های سگدست ( Cantilever beam )، استفاده شود. شکل a یک پل را نشان می دهد که به وسیله انتشار بور تشکیل شده است. میله سگدست ( یک پل با یک سر آزاد ) نیز به وسیله روش یکسانی ایجاد می شود. ( شکل b )

شکل 2 – 37

پل و میله شکل بالا در عرض قطر چاله برای اطمینان از این که آنها به وسیله KOH حکاکی می شوند، طرح ریزی شده اند. ساختارهای خیلی پیچیده تر نیز با این روش امکان پذیر است، امّا باید مواظب بود که آنها آزادنه به وسیله KOH حکاکی شوند.

اگر می خواستیم پل ها یا میله هایی با جهات مختلف بسازیم، ویفر می تواند از پشت در KOH حکاکی شود. ( شکل 2 – 38 ) در طی این چنین حکاکی هایی، باید اطمینان حاصل شود که جلوی ویفر کاملاً از حکاکی KOH مصون می ماند، راه حل دیگر تولید یک دیافراگم و حکاکی پل مورد نظر یا شکل میله مانند با استفاده از یک حکاکی کننده یون واکنش زا ( حکاکی خشک ) می باشد.

شکل 2 – 38

یکی از کاربردهای این میله ها و پل ها به عنوان سنسورهای تشدید می باشد. ساختار می تواند در فرکانس پایه اش به ارتعاش در آید. هر عاملی که باعث تغییری در جرم، طول و ... شود، به عنوان تغییری در فرکانس ثبت می شود. ترکیبی از حکاکی خشک و حکاکی تر Isotropic می تواند برای تشکیل نقاط خیلی تیز استفاده شود. ابتدا یک ستون با پهلوهای عمودی با استفاده از RIE ( شکل a ) تشکیل می شود. سپس با استفاده از حکاکی تر Mask حکاکی از زیر برش می خورد و یک نقطه خیلی دقیق را تشکیل می دهد. ( شکل b ) سپس Mask حکاکی نیز برداشته می شود.

شکل 2 – 29

از این ساختار در انتهای میله های سگدست به عنوان Probe در ذره بین اتمی می تواند استفاده شود.

2 – 14 – 2 در میکروماشینینگ سطحی


دانلود با لینک مستقیم


حکاکی

برنامه‌سازی پیشرفته سی

اختصاصی از رزفایل برنامه‌سازی پیشرفته سی دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

برنامه‌سازی پیشرفته سی


 برنامه‌سازی پیشرفته سی

 

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

 

تعداد اسلاید : 240 صفحه

برنامه‌سازی پیشرفته جلسة اول برنامه‌سازی پیشرفته مقدمه و معرفی درس برنامه‌سازی پیشرفته: بیان مفاهیم پیشرفته برنامه‌سازی با استفاده از زبان C برنامه‌سازی پیشرفته منبع اصلی جهت مطالعه دانشجویان کتاب: برنامه‌نویسی به زبان C (ویرایش دوم) برنامه‌سازی پیشرفته سابقة تاریخی زبان C زبان B زبان BCPL زبان C : در سال 1972 توسط دنیس ریچی طراحی شد.
برنامه‌سازی پیشرفته ویژگیهای بارز زبان C C یک زبان میانی است برنامه‌سازی پیشرفته سطوح زبانهای برنامه‌سازی زبانهای سطح پایین Assembly زبانهای میانی Java، ‍‍‍‍C زبانهای سطح بالا Pascal، Ada، Cobol، Basic برنامه‌سازی پیشرفته ویژگیهای بارز زبان C C یک زبان ساختیافته است. C زبان برنامه‌نویسی سیستم است. C یک زبان قابل حمل است. C زبانی قابل انعطاف و قدرتمند است. برنامه‌سازی پیشرفته کلیات زبان C حساس به حروف (Case Sensitive) INT و int کلمات کلیدی کم مثال: for ، if ، while نکته: کلیه کلمات کلیدی با حروف کوچک هستند. برنامه‌سازی پیشرفته کلیات زبان C ; جدا کنندة دستورات از یکدیگر: هر دستور در یک یا چند سطر چند دستور در هر سطر برنامه‌سازی پیشرفته کلیات زبان C توضیحات بین /* و /* یا بعد از // /* this is a sample comment.
*/ // this is another sample comment.
برنامه‌سازی پیشرفته استانداردسازی زبان C گونه‌های مختلف زبان C استانداردسازی زبان C : ANSI C برنامه‌سازی پیشرفته کامپایلر پیشنهادی زبان C Borland C++ 3.1 برنامه‌سازی پیشرفته برنامة کامپیوتری برنامه‌سازی پیشرفته مجموعة دستورات هر زبان برنامه‌نویسی دستورات کامپایلر زبان دستورات ورودی - خروجی دستورات محاسباتی و منطقی دستورات کنترل روند برنامه برنامه‌سازی پیشرفته جلسة دوم برنامه‌سازی پیشرفته انواع داده‌های اصلی int float double char void boolean ?!! برنامه‌سازی پیشرفته int اعداد صحیح با دامنه محدود برای کامپیوترهای شخصی دو بایت 32767- 2762+ برنامه‌سازی پیشرفته float اعداد حقیقی با دامنة محدود نمایش معمولی نمایش علمی 12.3E- 4 = 12.00003 برنامه‌سازی پیشرفته double اعداد حقیقی با دقتی بیشتر از float برنامه‌سازی پیشرفته Char کاراکترها نمادها یا حروف ‘a’ ‘A’ ‘+’ ‘~’ بسته به محل استفاده عدد یا کاراکتر است.
برنامه‌سازی پیشرفته void دادة تهی دارای کاربردهای مختلف مثال: توابع فاقد خروجی برنامه‌سازی پیشرفته انواع دادهای دیگر با ترکیب کلمات زیر با برخی از انواع داده‌های اصلی: signed ، unsigned (با علامت ، بدون علامت) long ، short مانند: unsigned int long int unsinged long int برنامه‌سازی پیشرفته متغیرها قوانین نامگذاری متغیرها: حروف ‘a’ تا ‘z’ ، ‘A’ تا ‘Z’ ، ارقام و ‘_’ اولین کاراکتر رقم نباشد. کلمات کلیدی نمی‌توانند نام متغیر باشند.
برنامه‌سازی پیشرفته متغیرها اسامی مجاز: count c124 avg_grade اسامی غیرمجاز: 1test bin#tree for برنامه‌سازی پیشرفته تعریف متغیر ; نام متغیر نوع داده int x ; float m, n ; char ch1, ch2, ch3 ; long int count ; برنامه‌سازی پیشرفته مقدار دهی اولیه به متغیرها int x = 5, y ; char ch1 = ‘a’, ch2 = ‘A’, ch ; برنامه‌سازی پیشرفته ثابتها تعریف ثابت: مقدار ثابت نام ثابت#define یا مقدار = نام ثابت

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.



دانلود فایل  پرداخت آنلاین 


دانلود با لینک مستقیم


برنامه‌سازی پیشرفته سی

تحقیق سی پی یو

اختصاصی از رزفایل تحقیق سی پی یو دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تحقیق سی پی یو


 تحقیق سی پی یو

 

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

 

تعداد اسلاید : 41 صفحه

بسم الله الرحمن الرحیم موضوع : cpu و انواع آن cpu چیست؟
یک (central processing unit (CPU که گاهی اوقات آن را پردازنده نیز می‌نامند ؛ یکی از اچزاء رایانه‌های رقمی می‌باشند که فرامین را در رایانه‌ها تفسیر می‌نماید واطلاعات را مورد پردازش قرار می‌دهد.
واحدهای مرکزی پرداش ویژگی پایه‌ای قابل برنامه ریزی شدن را در رایانه‌های رقمی را فراهم می‌کنند ؛ و یکی از مهمترین اجزاء رایانه‌ها در حافظهٔ اولیه ؛امکانات ورودی/خروجی هستند .یک پردازندهٔ مرکزی مداری یکپارچه می‌باشد که معمولا به عنوان ریزپردازنده شناخته می‌شود.
امروزه عبارت CPU‌ها معمولا برای ریزپردازندها به کار می‌روند.عبارت «central process unit»(واحد پردازندهٔ مرکزی) یک ردهٔ خاص از ماشین را معرفی می‌کند که می‌تواند برنامه‌های رایانه را اجرا کند .این عبارت گسترده می‌تواند به راحتی به بسیاری از رایانه‌هایی که که بسیار قبل تر از عبارت "CPU" بودند تعمیم داد .
به هر حال ؛این عبارت و شروع استفاده از آن در صنعت رایانه حداقل از اوایل سال ۱۹۶۰ رایج شد.
شکل ,طراحی و پیاده سازی پرازنده‌ها نسبت به طراحی اولیه تغییر کرده‌است ولی عملگرهای بنیادی آن همچنان به همان شکل باقی مانده‌است . تاریخچه پیش از ظهوراولین ماشین که به پردازنده‌های امروزی شباهت داشت ؛ کامپوتر‌های مثل انیاک(‍‍‍‍‌‍ENIAC) مجبور بودند برای اینکه کارهای مختلفی را انجام دهند دوباره سیم کشی کنند .
این ماشین‌ها اغلب به رایانه هایی؛ با برنامه ثابت اطلاق می‌شد تازمانیکه توانایی اجرای چند برنامه را پیدا کردند.
عبارت "CPU" از زمانی برای ابزار اجرا کننده نرم افزار(برنامه رایانه) تعریف شد ؛که اولین برنامه ذخیره شده در رایانه بوجود آمد.ایده برنامه ذخیره شده مربوط به زمان طراحی ENIAC بود .
در۳۰ ژوئن سال ۱۹۴۵ (۹ تیر ماه ۱۳۲۴) قبل از اینکه انیاک کامل شود , دانشمند ریاضیدان جان فون نیومان در مقاله‌ای آن را شرح داده بود . دستگاه‌های رقمی حال حاضر ؛ همه با پردازنده‌هایی توزیع شده‌اند که به مدار گسسته و بنابراین به تعدادی تغییر المان برای متفاوت بودن وتغییر حالات احتیاج دارند .
قبل از تچاری شدن ترانزیستور ؛ برای تغییر المانها از electrical relays و vacum tubes به صورت عمومی استفاده می‌شد .
اگرچه اینها از مزایایی چون سرعت - به خاطر ساز و کار عمومی شان برخوردار بودند ولی به خاطر بعضی مسایل غیرقابل اطمینان بودند  ترانزیستور و مدارات مجتمع گسسته پردازنده ها در طول این مدت ، یک روش برای تولید تعداد زیادی ترانزیستور روی یک فضای فشرده نظر اکثریت را به خود جلب کرد.
مدارات مجتمع (IC)‌ها ،این امکان را فراهم کردند که تعداد زیادی از ترانزیستورها روی یک پایه نیمه رسانا لایه لایه شده یا «چیپ»ساخته شوند.
در ابتدا تنها مدارات غیر تخصصی پایه مانند گیتهای منطقی NOR به صورت مدارات مجتمع ساخته شدند.
پردازنده‌هایی که بر اساس چنین واحد سیستم پایه‌ای مدارات مجتمع ساخته شدند به طور کلی جزو مدارات مجتمع مقیاس کوچک (SSI) محسوب می‌شدند.مدارات مجتمع SSI مانند آنچه که در راهنمای کامپیوتر آپولو آورده شده ،معمولا شامل ترانزیستورها با تعداد ضرایبی از ۱۰ می‌باشند.
ساخت یک پردازنده یکپارچه و بی عیب و نقص بدون استفاده از مدارات

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.



دانلود فایل  پرداخت آنلاین 


دانلود با لینک مستقیم


تحقیق سی پی یو

تعمیر و نگهداری ترک ساختمان.PPT

اختصاصی از رزفایل تعمیر و نگهداری ترک ساختمان.PPT دانلود با لینک مستقیم و پر سرعت .

تعمیر و نگهداری ترک ساختمان.PPT


 تعمیر و نگهداری ترک ساختمان.PPT

 

دسته بندی : پاورپوینت 

نوع فایل:  ppt _ pptx

( قابلیت ویرایش )

 


 قسمتی از محتوی متن پاورپوینت : 

 

تعداد اسلاید : 15 صفحه

تعمیر و نگهداری ترک در ساختمان ترک در ساختمان مقدمه : ترمیم سازه های بتنی، نیاز به بررسی ومطالعه دقیق وضعیت موجود سازه، مصالح به کار رفته در ساخت سازه و مطالعه شرایط پیراموًنی سازه دارد.
برداشت دقیق محل و عرض ترک ها و ریشه یابی علل آن از قبیل خوردگی، واکنش های قلیایی – سیلیسی و نیز ترک های ناشی از جمع شدگی به عنوان اولین گام در بررسی وضعیت کنونی سازه تلقی می شود.
مغزه گیری جهت تعیین مشخصات مکانیکی (مقاومت فشاری، ضریب ارتجاعی و ...) بتن موجود از پارامتر هایی می باشد که در بحث ترمیم و بهسازی مورد توجه است.هدف از انجام این پروژه، ارزیابی وضعیت فعلی، روش های بهبود وضعیت کنونی و در نهایت امکان سنجی ادامه ساخت سازه با توجه به مشکلات موجود می باشد ترک در ساختمان پیدایش ترک در ساختمان : افت پی بر اثر عواملی همچون رطوبت و فشارهای وارده از طبقات ، بی مقاومتی خاک و عملکردهای آن پیش می آید .
همچنین نوع مصالح مصرفی و اجرای غیرفنی ، سبب نشستهای پی می شود .
در مجموع ، بر اثر حرکات زمین ، اسکلت بنا حرکت می کند و شکستهای مختلف که شامل ترکهای عمیق و یا معمولی و در مواردی به شکل مویی است ، نمایان می شود.
تخریب خارج از صفحه دیوارهای عمودی در راستای زلزله و حرکت افقی دیوارهای در راستای زلزله و حرکت افقی دیوارهای در راستای زلزله ترک در ساختمان موقعیت ترک : ترکهای عمیق : این ترکها گاهی به طور دائمی به وجود می آید و دلیل آن نشست مرتب پی است که در این صورت ، بودن ساکنان در ساختمان خطرناک است. ترکهای ثابت : معمولا پس از نشست پی ، تحرک ساختمان کم می شود.
این پدیده بر اثر قطع رطوبت و فشرده شدن سطح زیر پیش می اید.
در نتیجه ، شکست و افت دیوارها و اسکلت بنا نیز متوقف ، و حالت ترک ثابت می شود. موی ترکهای معمولی : این ترکها در اثر افتهای کوچک در اسکلت بنا و به واسطه نیروها و در مواردی به علت نوع مصالح اندود به وجود می ایند.
رطوبت ، انقباض و انبساط حاصله در مقابل خشک شدن سطوح مرطوب ، باعث ایجاد ترکهای مویی می شود.
ترک در ساختمان حالتهای ترک : ترک را به شکلهای مختلف می توان آزمایش کرد.
نوع خطرناک و بدون خطر آنها را به شکلهای زیر می توان شناسایی کرد: الف) بند دوقسمت دیوار را که بر اثر ترکهای عمیق از یکدیگر جدا شده اند ، با گچ دستی طوری کف کش می کنیم که ملات فقط دو قسمت جدا شده را پوشش دهد ؛ یعنی در ترکها نفوذ نکند پس از خودگیری و خشک شدن ملات گچ ، چنانچه از دیوار جدا شود ، اسکلت در حال نشست و افت کامل است که باید در مورد آن با احتیاط رفتار کرد.
ترک در ساختمان ب) در موارد ذکر شده در بالا ، می توان روی ترک دو قسمت جدا شده دیوار را نوار کاغذی از جنس کاهی نازک به ابعاد 30*3 سانتیمتر به شکل ضربدر (*) با پونز نصب کرد.
چنانچه کاغذ پاره شود ، شکست و نشست در ساختمان بسیار خطرناک می باشد.
در این صورت ، ساختمان باید از سکنه خالی شود. ج) در نشستهای خطرناک ، کلاف پنجره بر اثر نیروی فشار ، اهرم و دفرمه می شود .
به علت بالا بودن ضریب شکنندگی ، شیشه پنجره ها ترک می خورند و می شکنند. د) در افتهای مداوم پی و مواقع سکوت ، صداهای "تک تک " که حاصل ترک مصالح و بویژه اجرکاری است ، شنیده می شود.
ترک در ساختمان روش تعم

  متن بالا فقط قسمتی از محتوی متن پاورپوینت میباشد،شما بعد از پرداخت آنلاین ، فایل را فورا دانلود نمایید 

 


  لطفا به نکات زیر در هنگام خرید دانلود پاورپوینت:  توجه فرمایید.

  • در این مطلب، متن اسلاید های اولیه قرار داده شده است.
  • به علت اینکه امکان درج تصاویر استفاده شده در پاورپوینت وجود ندارد،در صورتی که مایل به دریافت  تصاویری از ان قبل از خرید هستید، می توانید با پشتیبانی تماس حاصل فرمایید
  • پس از پرداخت هزینه ،ارسال آنی پاورپوینت خرید شده ، به ادرس ایمیل شما و لینک دانلود فایل برای شما نمایش داده خواهد شد
  • در صورت  مشاهده  بهم ریختگی احتمالی در متون بالا ،دلیل آن کپی کردن این مطالب از داخل اسلاید ها میباشد ودر فایل اصلی این پاورپوینت،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
  • در صورتی که اسلاید ها داری جدول و یا عکس باشند در متون پاورپوینت قرار نخواهند گرفت.



دانلود فایل  پرداخت آنلاین 


دانلود با لینک مستقیم


تعمیر و نگهداری ترک ساختمان.PPT